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Etablissement Université d'Oran1 - Ahmed Ben Bella Affiliation Département de Physique Auteur HEBALI, Khaled Directeur de thèse KADRI A. (Professeur) Filière Physique Diplôme Magister Titre Etude d'une diode électroluminescente à base de GaNAlGaN en ultra violet et en visible Mots clés Diodes électro-luminescentes; LED; Visible; Ultra-violet; Nanostructures; GaN; AlGaN; InGaN; Puits Quantiques; GaN/AlGaN; GaN/InGaN. Résumé Dans ce travail, nous étudions la faisabilité de diodes électroluminescentes (LED : Light Emitting Diode) émettant dans l’Ultra-Violet et/ou dans le visible, réalisées à base de nanostructures de matériaux semiconducteurs nitrures III-V à grande largeur de bande interdite de GaN/AlGaN et GaN/InGaN. Ces diodes électroluminescentes présentent un très importantes pour de nombreuses applications selon le domaine d’émission: . Les LED Ultra-Violet présentent un potentiel d’applications dans des domaines très variés allant de l’informatique (stockage et lecture haute densité des données sur DVD) aux communications par fibres optiques (Ultra-Haut Débit) en passant par la médecine (chirurgie d’ablation et ophtalmologie), la fabrication des nano-composants (photo-gravure et photo-ablation) et la purification-stèrilisation des instruments (dechirurgie) et de l’eau potable; . Les LED Visible présentent quant à elles un potentiel d’applications très variées également dans de nombreux stratégiques allant de l’affichage soft, à l’éclairage public économique et écologique, en passant par la télévision haute définition. Date de soutenance 2008 Cote TH2715 Pagination 118F. Illusatration ILL. EN COUL Format 30 cm Notes BIBLIOG.RESUME ET MOTS CLES. Statut Soutenue

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