001059865
100  $a20120506                 y50      
101  $afre
2001 $aEtude d'une diode électroluminescente à base de GaN\AlGaN en ultra violet et en visible$bressource électronique
210  $aUniversité d'Oran1 - Ahmed Ben Bella : Département de Physique$cUniversité d'Oran1 - Ahmed Ben Bella$d2008
215  $a118F. $cILL. EN COUL$d30 cm
328 1$bMagister$cPhysique$eDépartement de Physique , Université d'Oran1 - Ahmed Ben Bella$d2008
330  $aDans ce travail, nous étudions la faisabilité de diodes électroluminescentes (LED : Light Emitting Diode) émettant dans l’Ultra-Violet et/ou dans le visible, réalisées à base de nanostructures de matériaux semiconducteurs nitrures III-V à grande largeur de bande interdite de GaN/AlGaN et GaN/InGaN. Ces diodes électroluminescentes présentent un très importantes pour de nombreuses applications selon le domaine d’émission: . Les LED Ultra-Violet présentent un potentiel d’applications dans des domaines très variés allant de l’informatique (stockage et lecture haute densité des données sur DVD) aux communications par fibres optiques (Ultra-Haut Débit) en passant par la médecine (chirurgie d’ablation et ophtalmologie), la fabrication des nano-composants (photo-gravure et photo-ablation) et la purification-stèrilisation des instruments (dechirurgie) et de l’eau potable; . Les LED Visible présentent quant à elles un potentiel d’applications très variées également dans de nombreux stratégiques allant de l’affichage soft, à l’éclairage public économique et écologique, en passant par la télévision haute définition.
337  $aBIBLIOG.RESUME ET MOTS CLES.
610  $aDiodes électro-luminescentes
610  $a LED
610  $a Visible
610  $a Ultra-violet
610  $a Nanostructures
610  $a GaN
610  $a AlGaN
610  $a InGaN
610  $a Puits Quantiques
610  $a GaN/AlGaN
610  $a GaN/InGaN.
700  $aHEBALI, khaled
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac
990  $aTH2715