| Auteur | Ratiba, Houari | | Directeur de thèse | N., Kesri (Professeur) | | Filière | Physique | | Diplôme | Magister | | Titre | Étude de la durée de vie et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans les jonctions SnO2-Si(n+)-Si(p) | | Mots clés | Paramétré photovoltaïque;porteurs minoritaires;théorie des recombinaisons;semi conducteurs | | Résumé | Le premier chapitre de ce mémoire nous montre brièvement l’influence de la dure de vie T et de la longueur de diffusion sur les paramétré photovoltaïque.Le deuxième chapitre est consacre a la théorie des recombinaisons dans les semi conducteurs.Dans le troisième chapitre, nous décrivons les méthodes de mesures les plus courantes en insistant sur celles qui sont plus appropriées aux cellules solaires.Dans le dernier chapitre, après un expose sur la méthode expérimentale de réalisation des échantillons, nous étudions dans un premier temps l'influence des conditions expérimentales,dans un deuxième temps nous étudions l'influence de la température sur la dure de vie T | | Date de soutenance | 1987 | | Cote | 530M/09 | | Pagination | 115 f. | | Illusatration | Figr.;tabl.;shemas;g | | Format | 30 cm | | Notes | Bibliogr. | | Statut | Soutenue |
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