001058340
100  $a20120401                 y50      
101  $afre
2001 $aÉtude de la durée de vie et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans les jonctions SnO2-Si(n+)-Si(p)$bressource électronique
210  $d1987
215  $a115 f.$cFigr.;tabl.;shemas;g$d30 cm
328 1$bMagister$cPhysique$d1987
330  $aLe premier chapitre de ce mémoire nous montre brièvement l’influence de la dure de vie T et de la longueur de diffusion sur les paramétré photovoltaïque.Le deuxième chapitre est consacre a la théorie des recombinaisons dans les semi conducteurs.Dans le troisième chapitre, nous décrivons les méthodes de mesures les plus courantes en insistant sur celles qui sont plus appropriées aux cellules solaires.Dans le dernier chapitre, après un expose sur la méthode expérimentale de réalisation des échantillons, nous étudions dans un premier temps l'influence des conditions expérimentales,dans un deuxième temps nous étudions l'influence de la température sur la dure de vie T
337  $aBibliogr.
610  $aParamétré photovoltaïque
610  $aporteurs minoritaires
610  $athéorie des recombinaisons
610  $asemi conducteurs
700  $a Ratiba, Houari
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac
990  $a530M/09