| Etablissement | Université de Tébessa - Larbi Tébessi | | Affiliation | Département Science de la matière | | Auteur | REZAIGUIA, Ismahane | | Directeur de thèse | BENMAKHLOUF Fella (Maitre de conférence) | | Filière | Physique des Matériaux | | Diplôme | Magister | | Titre | Etude du comportement au bord de la bande de l'alliage ternaire
GaPxAs1-x par la densité de charge électronique | | Mots clés | alliage ternaire, densité de charge, bande de valence, bande de conduction | | Résumé | A présent, les composés semi conducteurs appartenant à la famille des éléments III-V sont potentiellement utiles dans la réalisation des composants électroniques et optoélectroniques. Plusieurs dispositifs ont été développés, la cellule solaire à base de GaAs et de GaAlAs, la diode électroluminéscente à base de GaAsP, les détecteurs infrarouges et d’autres applications lasers.
Le but du travail est de calculer la densité de charges électroniques de la bande de valence et de conduction aux point L et X en fonction de la position dans la cellule unitaire de l’alliage ternaire GaPxAs1-x de structure zinc-blende en utilisant les fonctions d'ondes dérivées des calculs de la structure de bande du pseudopotentiel empirique. | | Statut | Signalé |
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