001034767
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude du comportement au bord de la bande de l'alliage ternaire GaPxAs1-x par la densité de charge électronique$bressource électronique
210  $aUniversité de Tébessa - Larbi Tébessi  : Département Science de la matière$cUniversité de Tébessa - Larbi Tébessi 
328 1$bMagister$cPhysique des Matériaux$eDépartement Science de la matière , Université de Tébessa - Larbi Tébessi 
330  $aA présent, les composés semi conducteurs appartenant à la famille des éléments III-V sont potentiellement utiles dans la réalisation des composants électroniques et optoélectroniques. Plusieurs dispositifs ont été développés, la cellule solaire à base de GaAs et de GaAlAs, la diode électroluminéscente à base de GaAsP, les détecteurs infrarouges et d’autres applications lasers. Le but du travail est de calculer la densité de charges électroniques de la bande de valence et  de conduction aux point L et X  en fonction de la position dans la cellule unitaire de l’alliage ternaire GaPxAs1-x de structure zinc-blende en utilisant les fonctions d'ondes dérivées des calculs de la structure de bande du pseudopotentiel empirique.
610  $aalliage ternaire, densité de charge,  bande de valence,  bande de conduction
700  $aREZAIGUIA, ismahane
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac