| Etablissement | Université de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri | | Affiliation | Département Electrique | | Auteur | BENNAMANE, Kamal | | Directeur de thèse | BENFDILA Arezki (Professeur) | | Co-directeur | GHIBAUDO Gérard (Docteur) | | Filière | Electronique | | Diplôme | Doctorat | | Titre | Caractérisation et modélisation des CMOS/SOI avancées , SOI DGMOSFET . | | Mots clés | Caractérisation,FDSOI,MOS Transistors,gate stacks,FINFET,LF noise, strained nMOS devices,mobilité,transport électronique . | | Résumé | Sous la conception classique du MOSFET,le scaling est compromis.En effet le MOSFET est affecté par certains effets indésirables ,tel que les fuites de grille ,la fuite de derain induite par la grille (GIDL )les fluctuations du dopage, perte du contrôle électrostatique du canal . | | Statut | Vérifié |
|