001032172
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aCaractérisation et modélisation des CMOS/SOI avancées , SOI DGMOSFET .$bressource électronique
210  $aUniversité de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri : Département Electrique$cUniversité de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri
328 1$bDoctorat$cElectronique$eDépartement Electrique , Université de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri
330  $aSous la conception classique du MOSFET,le scaling est compromis.En effet le MOSFET est affecté par certains effets indésirables ,tel que les fuites de grille ,la fuite de derain induite par la grille (GIDL )les fluctuations du dopage, perte du contrôle électrostatique du canal .
610  $aCaractérisation,FDSOI,MOS Transistors,gate stacks,FINFET,LF noise, strained nMOS devices,mobilité,transport électronique .
700  $aBENNAMANE, kamal
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac