| Etablissement | Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid |
| Affiliation | Département d'Electronique |
| Auteur | AOUF, Anouar essadate |
| Directeur de thèse | DJEFFAL FAÇAL (Maitre de conférence) |
| Filière | Electronique |
| Diplôme | Doctorat |
| Titre | Contribution à la modélisation et l’optimisation des transistors MOSFETs de puissance : application à la conseption des dispositifs de puissance. |
| Mots clés | MOSFET, LDMOS, VDMOS, model, modelisation, optimisation. |
| Résumé | L’Objet de ce travail et d’effectuer une étude des propriétés électriques et thermiques des transistors MOSFETs de puissance afin de décrire le comportement de ces dispositifs dans les déférent régions de fonctionnement. Dans le contexte des nouvelles approches théoriques, numériques et évolution destinées a la modélisation et l’optimisation de transistor de puissance serrant développées. |
| Statut | Validé |