001032070
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aContribution à la modélisation et l’optimisation des transistors MOSFETs de puissance : application à la conseption des dispositifs de puissance.$bressource électronique
210  $aUniversité de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid : Département d'Electronique$cUniversité de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid
328 1$bDoctorat$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid
330  $aL’Objet de ce travail et d’effectuer une étude des propriétés électriques et thermiques des transistors MOSFETs de puissance afin de décrire le comportement de ces dispositifs dans les déférent régions de fonctionnement. Dans  le contexte des nouvelles approches théoriques, numériques et évolution destinées a la modélisation et l’optimisation de transistor de puissance serrant développées.
610  $aMOSFET, LDMOS, VDMOS, model, modelisation, optimisation.
700  $aAOUF, anouar essadate
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac