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Etablissement Université de Laghouat - Amar Telidji Affiliation Département de Génie des Matériaux Auteur DAHAME, Tahar Directeur de thèse LEFKAIER Ibn Khaldoun (Professeur) Co-directeur HALIT Mohamed (Maitre de conférence) Filière Génie des matériaux Diplôme Magister Titre Etude ab-initio des propriétés électroniques et optiques du Sélénium, du Tellure et des composés binaires (ZnTe, CdTe, HgTe)E=Se,Te) par la méthode des pseudo potentiels et les ASWM dans le cadre de la dft Mots clés Tellure, Sélénium, Structure électronique, Semiconducteurs II-VI, Otique non linéaire, indice de réfraction, successibilité électrique Résumé Le but de ce travail est l’optimisation des paramètres cristallins et le calcul des structures électroniques et des propriétés optiques des matériaux simple Se et Te et des composés binaires ZnTe, CdTe et HgTe par la méthode de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT "Density Functional Theory". Pour le calcul des structures électroniques on a utilisé deux approches (tout électrons et pseudopotentiels) avec les deux approximations LDA "Local Density Approximation" et GGA "Generilized Gradiant Approximation", Les propriétés optiques linéaires et non linéaires de ces matériaux sont calculées par la théorie moderne de la polarisation couplée à la DFT (PDFT perturbation DFT) moyennant la méthode des pseudopotentiels. Les valeurs des indices de réfraction et des successibilités électriques du second ordre obtenus sont en bon accord avec les valeurs expérimentales. Date de soutenance 02/07/2009 Pagination I-IX-192p Illusatration ill.graph.;tabl.fig. Format 29cm Notes Bibliogr. Statut Soutenue

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