001029400
100  $a20130709                 y50      
101  $afre
2001 $aEtude ab-initio des propriétés électroniques et optiques du Sélénium, du Tellure et des composés binaires (ZnTe, CdTe, HgTe)E=Se,Te) par la méthode des pseudo potentiels et les ASWM dans le cadre de la dft$bressource électronique
210  $aUniversité de Laghouat - Amar Telidji  : Département de Génie des Matériaux$cUniversité de Laghouat - Amar Telidji $d02/07/2009
215  $aI-IX-192p$cill.graph.;tabl.fig.$d29cm
328 1$bMagister$cGénie des matériaux$eDépartement de Génie des Matériaux , Université de Laghouat - Amar Telidji $d02/07/2009
330  $aLe but de ce travail est l’optimisation des paramètres cristallins et le calcul des structures électroniques et des propriétés optiques des matériaux simple Se et Te et des composés binaires ZnTe, CdTe et HgTe par la méthode de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT "Density Functional Theory". Pour le calcul des structures électroniques on a utilisé deux approches (tout électrons et pseudopotentiels) avec les deux approximations LDA "Local Density Approximation" et GGA "Generilized Gradiant Approximation", Les propriétés optiques linéaires et non linéaires de ces matériaux sont calculées par la théorie moderne de la polarisation couplée à la DFT (PDFT perturbation DFT) moyennant la méthode des pseudopotentiels. Les valeurs des indices de réfraction et des successibilités électriques du second ordre obtenus sont en bon accord avec les valeurs expérimentales.
337  $aBibliogr.
610  $aTellure, Sélénium, Structure électronique, Semiconducteurs II-VI, Otique non linéaire, indice de réfraction, successibilité électrique
700  $aDAHAME, tahar
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac