| Etablissement | Université Mohamed Boudiaf des Sciences et de la Technologie - Mohamed Boudiaf d'Oran |
| Affiliation | Département d'Electronique |
| Auteur | HATMAF, Isma |
| Directeur de thèse | (Docteur) |
| Filière | Electronique |
| Diplôme | Magister |
| Titre | Simulation et modellisations des mosffet siliciun sur isolant |
| Résumé | Notre travaille se situe dans le domaine de la nanoéléctronique ou les dispositifs sont suxeptibles d'avoir pour certain parametres des fonctionnements de nature quantione différent du fonctionnement classique ce mémoire à pour but d'analyse l'effet de l'augmontation de la densité d'integration suite à la dimunition de la taille des transistors sur les performances de ses dispositifs éléctrioniques d'ou on a etudier un type particulies de transistor qui est Mosfet SOI |
| Statut | Vérifié |