001029279
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aSimulation  et modellisations des mosffet siliciun sur isolant$bressource électronique
210  $aUniversité Mohamed Boudiaf des Sciences et de la Technologie - Mohamed Boudiaf d'Oran : Département d'Electronique$cUniversité Mohamed Boudiaf des Sciences et de la Technologie - Mohamed Boudiaf d'Oran
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université Mohamed Boudiaf des Sciences et de la Technologie - Mohamed Boudiaf d'Oran
330  $aNotre travaille se situe dans le domaine de la nanoéléctronique ou les dispositifs sont suxeptibles d'avoir pour certain parametres des fonctionnements de nature quantione différent du fonctionnement classique  ce mémoire à pour but d'analyse l'effet de l'augmontation de la densité d'integration  suite à la dimunition  de la taille des transistors sur  les performances de ses dispositifs éléctrioniques d'ou  on a etudier un type particulies de transistor qui est  Mosfet SOI 
700  $aHATMAF, isma
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac