| Etablissement | Université de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri |
| Affiliation | Département Electronique |
| Auteur | BOUGHIAS, Ouiza |
| Directeur de thèse | Ben Fdila Areski (Docteur) |
| Filière | Electronique |
| Diplôme | Magister |
| Titre | Comparaison des paramétres physiques technologiques et électriques des nouveaux isolants de grille" high-k" pour les technologies CMOS |
| Mots clés | Transistors CMOS;Oxyds;High-k;Paramètres;Fialilité;Interfaces;Pièges d'oxydes. |
| Résumé | Une comparaison entre les maténiame à forte permittivité diélectrique"high-k" à été faite la stratégie d'intruduction de high-k n'est pas encore définie trés clairement ,notament parceque le bénéfice d'un high-k va de pane avec l'utilisation d'une grille métallique.En vue des amilioration que les oxydes et les silicats d'hafnuim apparent pour le transistor MOS et ces oxydes d'hafinuim seront lancés dans la fabrication à partir de la fin du 2éme trimestre de l'année 2008. |
| Statut | Vérifié |