001029137
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aComparaison des paramétres physiques technologiques et électriques des nouveaux isolants de grille" high-k" pour les technologies CMOS$bressource électronique
210  $aUniversité de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri : Département Electronique$cUniversité de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement Electronique , Université de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri
330  $aUne comparaison entre les maténiame à forte permittivité diélectrique"high-k" à été faite la stratégie d'intruduction de high-k n'est pas encore définie trés clairement ,notament parceque le bénéfice d'un high-k va de pane avec l'utilisation d'une grille métallique.En vue des amilioration que les oxydes et les silicats d'hafnuim apparent pour le transistor MOS et ces oxydes d'hafinuim seront lancés dans la fabrication à partir de la fin du 2éme trimestre de l'année 2008.
610  $aTransistors CMOS
610  $aOxyds
610  $aHigh-k
610  $aParamètres
610  $aFialilité
610  $aInterfaces
610  $aPièges d'oxydes.
700  $aBOUGHIAS, ouiza
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac