| Etablissement | Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas | | Affiliation | Département de Physique | | Auteur | ROUAG, Nouari | | Directeur de thèse | OUENNOUGHI Zahir (Docteur) | | Filière | Physique | | Diplôme | Doctorat | | Titre | Modélisation, Simulation et extraction des paramètres de la diode Schottky métal/Sic. | | Mots clés | Diodes Schottky, Barrière de potentiel. Etats d'interface. L'inhomogénéité de la barrière de potentiel Silicium carbide, phénomènes de transfert de chargé. | | Résumé | {rtf1fbidisansideff0{fonttbl{f0fromanfprq2fcharset0 Times New Roman;}{f1fnilfcharset0 MS Sans Serif;}}
viewkind4uc1pardltrparsl360slmult1qjlang1036f0fs24 Lrquote objet principal dans ce travail consiste essentiellement :par
pardltrparfi-360li720sl360slmult1qjtx720tab Mod'e9lisation des ph'e9nom'e8nes de transport de courant dans les diodes Schottky m'e9tal/Sic en tenant compte de lrquote inhomog'e9n'e9it'e9 de la barri'e8re de potentiel qui peut 'eatre un des facteurs qui influence la caract'e9ristique I-V en inverse.par
pardltrparfi-360li720sl360slmult1qjtab Montage drquote un bon mesure I-V, C-V.par
tab Extraction des param'e8tres 'e0 partir des caract'e9ristiques I-V, C-V.par
pardltrparlang1024 Comparaison entre les r'e9sultats obtenus par simulation/calcul et par mesure. lang5121f1fs16par
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| | Statut | Vérifié |
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