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2001 $aModélisation, Simulation et extraction des paramètres de la diode Schottky métal/Sic.$bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département de Physique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bDoctorat$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
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610  $aDiodes Schottky, Barrière de potentiel. Etats d'interface. L'inhomogénéité de la barrière de potentiel Silicium carbide, phénomènes de transfert de chargé.
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