| Etablissement | Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas |
| Affiliation | Département de Physique |
| Filière | Physique |
| Diplôme | Magister |
| Titre | Etude de Mixage Ionique du Système Ni/Si |
| Mots clés | Mixage ionique_ Système Ni-Si _ Technique RBS_ Couche mince |
| Résumé | L’étude de l’interaction métal-Silicium est d’une grande importance, particulièrement dans les application des siliciures dans la technologie des circuits intégrés.
Le travail de recherche portera sur le système Ni-Si et consistera à étudier le phénomène de mixage des atomes de Ni et de Si induit à l’interface par bombardement ionique de faisceaux de gaz inerte tels que Ar+ et Kr+.
L’analyse de mixage ionique du système Ni-Si sera effectuée à l’aide de la technique RBS ( Rutherford Backscatting Spectrometry) au prés de l’accélérateur VDG du CRNA.
La nature de la structure des composes formes à l’interface seront également étudiées.
* Equipements nécessaires :
Système de déposition de couches minces
Accélérateur de particules VDG
Implanter d’ions
Système de diffraction X.
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| Statut | Vérifié |