001022443
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude de Mixage Ionique du Système Ni/Si$bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département de Physique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bMagister$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
330  $aL’étude de l’interaction métal-Silicium est d’une grande importance, particulièrement dans les application des siliciures dans la technologie des circuits intégrés.       Le travail de recherche portera sur le système Ni-Si et consistera à étudier le phénomène de mixage des atomes de Ni et de Si induit à l’interface par bombardement ionique de faisceaux de gaz inerte tels que Ar+ et Kr+.       L’analyse de mixage ionique du système Ni-Si sera effectuée à l’aide de la technique RBS ( Rutherford Backscatting Spectrometry) au prés de l’accélérateur VDG du CRNA.        La nature de la structure des composes formes à l’interface seront également étudiées. * Equipements nécessaires :        Système de déposition de couches minces        Accélérateur de particules VDG        Implanter d’ions        Système de diffraction X.
610  $aMixage ionique_ Système Ni-Si _ Technique RBS_ Couche mince
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac