| Etablissement | Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas | | Affiliation | Département de Physique | | Auteur | BOUMAZA, Mohamed | | Directeur de thèse | LAMARI Saadi (Professeur) | | Filière | Physique | | Diplôme | Doctorat | | Titre | Relaxation dans les semiconducteurs | | Mots clés | electron-phonon interaction, spin relaxation, momentum relaxation, heterostructures | | Résumé | La relaxation des porteurs de charge excités dans les semiconducteurs massifs et dans les heterostructures joue un rôle primordial car elle détermine entre autres un grand nombre de quantités physiques mesurables telles que la mobilité, et la polarisation de la lumière émise lors de la photoluminescence. Le travail du candidat dans ce sujet concerne l'étude théorique quantitatives de différents processus de relaxation dans les hétéostructures à semiconducteurs telles que GaAs/AlAsGa par exemple, en particulier le calcul des différents temps de relaxation et leur comparaison avec l'expérience. Eventuellement l'étude contribuera à optimiser le fonctionnement de nouveaux dispositifs électroniques tel que le transistor à effect de champ à gaz électronique polarisé. | | Statut | Vérifié |
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