001022427
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aRelaxation dans les semiconducteurs$bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département de Physique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bDoctorat$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
330  $aLa relaxation des porteurs de charge excités dans les semiconducteurs massifs et dans les heterostructures joue un  rôle primordial car elle détermine entre autres un grand nombre de quantités physiques mesurables telles que la mobilité, et la polarisation de la lumière émise lors de la photoluminescence. Le travail du candidat dans ce sujet concerne l'étude théorique quantitatives de différents processus de relaxation dans les hétéostructures à semiconducteurs telles que GaAs/AlAsGa par exemple, en particulier le calcul des différents temps de relaxation et leur comparaison avec l'expérience. Eventuellement l'étude contribuera à optimiser le fonctionnement de nouveaux dispositifs électroniques tel que le transistor à effect de champ à gaz électronique polarisé.
610  $aelectron-phonon interaction, spin relaxation, momentum relaxation, heterostructures
700  $aBOUMAZA, mohamed
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac