| Etablissement | Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas |
| Affiliation | Département d'Electronique |
| Auteur | BELGAT, Mustapha |
| Directeur de thèse | KENZAI CHERIFA (Docteur) |
| Filière | Electronique |
| Diplôme | Magister |
| Titre | SIMULATION ET OPTIMISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM |
| Mots clés | SIMULATION - MESFET- GaAs |
| Résumé | Le travail proposé vise à faire une étude analytique des propriétés statiques et dynamiquesdu transistor à effet de champ à l’arseniure de gallium à grille Schottky dit MESFET GaAs.
Ensuite une simulation numérique sera effectuée pour déterminer les performances des composants. L’influence des différents paramètres physiques et géométriques sera Analysée dans le but d’optimiser les composants |
| Statut | Vérifié |