001021476
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aSIMULATION ET OPTIMISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE  DE GALLIUM       $bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département d'Electronique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
330  $aLe travail proposé vise à faire une étude analytique des propriétés statiques et dynamiquesdu transistor à effet de champ à l’arseniure de gallium à grille Schottky dit MESFET GaAs. Ensuite une simulation numérique sera effectuée pour déterminer  les  performances des composants. L’influence des différents paramètres physiques et géométriques  sera Analysée dans le but d’optimiser les composants
610  $aSIMULATION -    MESFET-  GaAs
700  $aBELGAT,   mustapha
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac