| Etablissement | Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid |
| Affiliation | Département Génie électrique et electronique |
| Auteur | KERAI, Salim |
| Directeur de thèse | GHAFFOUR Kheireddine (Docteur) |
| Filière | Electronique |
| Diplôme | Magister |
| Titre | Caractérisation des semi conducteurs par les techniques capacitives |
| Mots clés | jonction pn schottky, ev dlts, recuit thermique |
| Résumé | Les techniques capacitives ( EV et DLTS ) ont été étudiées. Nous avons mis au point un ensemble de procédures permettant le calcul du profil de dopage. A ce titre nous avons proposé une méthode de calcul qui consiste à ajuster la caractéristique EV expérimentale avec un modèle thermique prédéfini.
Q'autre part l'application de la technique DLTS bis car sur un échantillon de silicium recuit aux lampes halogènes a été effectuée pour la détection des défauts. |
| Statut | Soutenue |