001017209
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aCaractérisation des semi conducteurs par les techniques capacitives$bressource électronique
210  $aUniversité de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid : Département Génie électrique et electronique$cUniversité de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement Génie électrique et electronique , Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid
330  $aLes techniques capacitives ( EV et DLTS ) ont été étudiées. Nous avons mis au point un ensemble de procédures permettant le calcul du profil de dopage. A ce titre nous avons proposé une méthode de calcul qui consiste à ajuster la caractéristique EV expérimentale avec un modèle thermique prédéfini. Q'autre part l'application de la technique DLTS bis car sur un échantillon de silicium recuit aux lampes halogènes a été effectuée pour la détection des défauts.
610  $ajonction pn schottky, ev dlts, recuit thermique
700  $aKERAI, salim
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac