001081698
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude Ab-Initiodes chalcogénures de type ABCh3avec(A=S,Sn;B=Hf,Zr;Ch=Se,S,Te)$bressource électronique
210  $aUniversité de Mascara - Mustapha Stambouli : Département de Physique$cUniversité de Mascara - Mustapha Stambouli
328 1$bDoctorat$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Mascara - Mustapha Stambouli
330  $aPour les applications  Physiques et électroniques ect… La recherche des meilleures performances des dispositifs passe nécessairement par l’exploitation de nouveaux matériaux oupropriétés structurales, élastiques, électroniques et optiques. Dans le cadre de cette thèse, nous procéderons à une investigation des propriétés structurales, élastiques, électroniques et optique deschalcogénures. Nous effectuerons des calculs premiers principes basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densité. Nous nous intéresserons notamment au(x) paramètre(s) de réseau, au module de compression, aux constantes d’élasticité, à la structure de bandes, à la densité de charge ainsi qu’aux différentes grandeurs déterminant les propriétés physiques des composés étudiés. Ces résultats seront ensuite confrontés à d’autres calculs théoriques éventuels ainsi qu’aux données expérimentales disponibles
610  $aAb-Initio,chalcogénide,metal transition,FP LAPW, Crystal structure
610  $aTernarysulfide
610  $aSelenide
610  $aElectronic structure
610  $a
700  $aSEDDIK , Benali
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac