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100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude des phénomènes de transport dans les dispositifs réalisés à partir de matériaux III-V nitrurés en utilisant l'outil SILVACO$bressource électronique
210  $aUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes  : Département d'Electronique$cUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
328 1$bDoctorat$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
330  $aDepuis plus d’une dizaine d’années, les matériaux III-V sont intensément étudiés pour des applications optoélectroniques dans l’UV et le bleu. Et ils sont aussi largement étudiés pour des applications photovoltaïques grâce à leur large couverture spectrale, leurs bonnes caractéristiques électriques et leur résistance à de fortes puissances.  Dans notre thèse, on a pour but de prouver la faisabilité des composants à base des matériaux III-V nitrurés fabriquées sur des substrats peu coûteux comme le silicium ou le verre. Le travail consiste à  la caractérisation optique et électrique des matériaux et des composants. Des simulations de ces dispositifs sont nécessaires afin de déterminer l’influence des différents paramètres (épaisseurs, dopages, densité de défauts, etc.) dans le but d’optimiser les performances de ces cellules. Les résultats issus de cette simulation au moyen du logiciel (ATLAS/ATHENA) de SILVACO seront comparés et discutés avec l’expérimental. Sous l’effet de l’éclairement solaire on va déterminer les paramètres photovoltaïques tels que le photo-courant  Jph, la tension en circuit ouvert Vco, facteur de forme, la réponse spectrale ainsi que le rendement photovoltaïque. Enfin, nous tenterons d’améliorer ces derniers paramètres, en optimisant les conditions technologiques et les propriétés cristallines de nos structures.
610  $aEquations de transport, GaN/GaAs, InN/InP, caractérisation électrique
700  $aBENYKRELEF , Souad
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac