001071629
100  $a20130410                 y50      
101  $aang
2001 $aExperimental investigation of the charge pumping current in integrated MOS transistors$bressource électronique
210  $aUniversité de Boumerdès - M'hamed Bougara  : Département Electrique$cUniversité de Boumerdès - M'hamed Bougara $d1998
215  $a80 p.$cill.$d30 cm
328 1$bMagister$cGénie  Electronique$eDépartement Electrique , Université de Boumerdès - M'hamed Bougara $d1998
330  $aThe aim of this work is the investigation of the charge pumping technique through the variation of the gate voltage pulse width. The main part of this work is related to the investigation of the carge pumping current of MOSFETS and its dependence on the time and voltage parameters of the input gate pulses… 
610  $aMOS (électronique) 
610  $a Metal oxide semiconductors
700  $aRAHMOUNE, fayçal
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac
990  $a621.3(043.2)/A83/RAH