001070641
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aDopage et Caractérisation des Couches Minces à base de Sulfure d’Etain  par Voie Chimique Douce en Vue d’Applications Photovoltaïques$bressource électronique
210  $aUniversité de Biskra - Mohamed Khider  : Département des Sciences des Matériaux$cUniversité de Biskra - Mohamed Khider 
328 1$bDoctorat$cPhysique des Matériaux$eDépartement des Sciences des Matériaux , Université de Biskra - Mohamed Khider 
330  $aAu cours de ces dernières années les chercheurs ont élaboré le matériau  semiconducteur SnS en développant différentes techniques de dépôt cherchant aussi à le perfectionner. Récemment leurs attentions étaient polarisées essentiellement vers les méthodes de dépôt dites en phase liquide (chimie douce) en vue de leurs avantages séduisants. La principale remarque est que les propriétés du composé SnS sont tributaires de la technique de croissance, en effet les conditions expérimentales peuvent influencer fortement les propriétés de ce composé. Ce fait est très bénéfique, du moment où il permet un choix relativement étendu de la méthode de croissance ainsi qu’une meilleure optimisation des conditions expérimentales.  Les recherches réalisées sur les propriétés physiques du composé binaire SnS concernent principalement ses propriétés structurales, optiques et électroniques. Ces propriétés s’avèrent importantes pour un matériau semiconducteur qui peut jouer un rôle considérable dans le domaine photovoltaïque. L’utilisation du matériau binaire SnS dans le domaine photovoltaïque à considérablement évolué. En effet, ces hétérojonctions présentent des caractéristiques électriques, optiques et structurales intéressantes. Son gap peut avoisiner l’optimum pour la conversion de l’énergie solaire (1.50 eV). Les transitions sont directes avec de forts coefficients d’absorption, ce qui permet de les utiliser en couches minces et en tant qu’absorbeur dans les dispositifs solaires.
610  $aDopage de sulfure d’étain  - Couches Minces – voie chimique douce- Spray Ultrasonique – Caractérisation optiques- Caractérisation électrique- Caractérisation structurale - Photovoltaïques
700  $aBOUNIF , Wafa
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac