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100  $a20121213                 y50      
101  $afre
2001 $aPROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUE ET STRUCTURE ÉLECTRONIQUE DES SEMI CONDUCTEURS MAGNÉTIQUE DILUES$bressource électronique
210  $aUniversité 8 mai 1945 de Guelma : Département de Physique$cUniversité 8 mai 1945 de Guelma$d2012
215  $a132 PAGES$crelieure$dPDF
328 1$bMagister$cPhysique$eDépartement de Physique , Université 8 mai 1945 de Guelma$d2012
330  $aLe but de ce travail est d’étudier la structure électronique et les propriétés magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués . On a obtenu ce composé en substituant certain pourcentage de l’élément In par des atomes de Mn. Pour cette étude on a utilisé le code AKAI-KKR qui est basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) et la méthode de KKR de la fonction de Green. Les paramètres de structure du semiconducteur parent InSb sont obtenus à l’équilibre en minimisant l’énergie totale en fonction du volume. Pour chaque concentration x du Mn on a déterminé le paramètre de maille et la densité d’état totale pour chaque élément et pour le composé . Les propriétés électroniques sont déterminées par le traçage des courbes des densités d’état pour chaque sous couche s, p et d. Les propriétés magnétiques de et la Tc pour chaque concentration (la variation de Tc en fonction de la concentration) sont déterminés en utilisant la théorie du champ moyen . Dans le calcul on a utilisé les approximations LSDA (approximation de la densité locale de spin), LDA (approximation de la densité locale) et la GGA (approximation du gradient généralisé). Nous résultats sont en accord avec les données expérimentales et les calculs théoriques. DISCIPLINE : Matière condensée
610  $aCalcul ab initio, semi conducteur magnétique dilué, Théorie de la fonctionnelle de la densité, Structure électronique, Température de Curie.
700  $aDIAF, cherif
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990  $a530