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100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aAnalyse et simulation des défauts en surface et interface des semi-conducteurs III-N par la méthode de la photoluminescence$bressource électronique
210  $aUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes  : Département d'Electronique$cUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
328 1$bDoctorat$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
330  $aL’utilisation de semi-conducteurs nitrurée à large bande interdite pouvait apporter un gain considérable au niveau des performances globales des transistors pour les applications en amplification de puissance hyperfréquences. Dans ce cadre, cette thèse a pour objectif d’analyser l’ensemble des paramètres physiques liés aux contacts électriques et de quantifier les défauts et leurs signatures dans la structure par la méthode de la photoluminescence. Cette première procédure d’analyse associée aux procédés technologiques utilisés doit laisser espérer la possibilité d’éliminer les sources importantes de pollutions chimiques de la surface extrêmement sensible des composants réalisés. Pour le calcul théorique des différents paramètres telles que l’efficacité PL (YPL), la vitesse de recombinaison effective de surface (Seff) et les casi-niveaux de Fermi des électrons (Efp) sous photo-excitation nous allons développer un model de calcul en tenant compte de tous les mécanismes de recombinaison possibles qui comprennent la recombinaison radiative, la recombinaison Shockley Read-Hall (SRH) via des niveaux profonds et la recombinaison Auger en plus du processus de recombinaison de surface basé sur les statistiques SRH.
610  $asemi-conducteurs III-N,photoluminescence, simulation
700  $aABED, zoulikha
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac