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100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude des propriétés électroniques, optiques  et diélectriques du semi-conducteur ternaire AlxIn1-xAs$bressource électronique
210  $aUniversité de Tébessa - Larbi Tébessi  : Département Science de la matière$cUniversité de Tébessa - Larbi Tébessi 
328 1$bMagister$cPhysique des Matériaux$eDépartement Science de la matière , Université de Tébessa - Larbi Tébessi 
330  $aLes semi-conducteurs ont fait depuis ces dernières décennies l'objet de très importantes recherches à cause des intérêts propres qu ils représentent et surtout à cause des applications de plus en plus nombreuses dans lesquelles ils sont utilisés. Bien que certaines de leurs propriétés aient déjà été mises en évidence expérimentalement, dès le courant du XIX siècle, la compréhension de ces matériaux n'a été saisie qu'après des recherches très approfondies. Le développement de la physique des semi-conducteurs est la conséquence directe des progrès de la mécanique quantique, de la chimie des solides, et des techniques de calcul. Plusieurs méthodes théoriques ont été développées pour le calcul des structures de bande et la compréhension des propriétés électroniques et structurales des matériaux. Parmi elles, la méthode dite pseudo potentiel empirique, qui s'est révélée remarquablement efficace. Dans cette étude, on utilise cette dernière combinée avec « la méthode du cristal virtuel » (VCA) pour calculer les propriétés  électroniques, optiques et diélectriques du semi-conducteur ternaire AlxIn1-xAs.
610  $apropriétés électroniques, propriétés optiques, propriétés diélectriques, semi-conducteurs III-V
700  $aSAHEB, hadjer
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac