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100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aDépendance en Pression des propriétés optiques et dynamique du réseau  de l’alliage semi-conducteur ZnSxSe1-x$bressource électronique
210  $aUniversité de Tébessa - Larbi Tébessi  : Département Science de la matière$cUniversité de Tébessa - Larbi Tébessi 
328 1$bMagister$cPhysique des Matériaux$eDépartement Science de la matière , Université de Tébessa - Larbi Tébessi 
330  $aLes semi-conducteurs ont joué un rôle majeur dans la révolution technologique courante. A présent, les composés II-VI à large bande interdite qui sont utilisés dans la réalisation des composants optoélectroniques comme les diodes électroluminescentes ( L.E.D ) et les lasers à semi-conducteurs couvrant la bande spectrale bleu verte, spécialement les composés ZnS, ZnSe . L'étude des matériaux à hautes pressions éprouve la grande activité courante en raison des développements de la technique diamant-enclume et de la prolongation de la gamme pour des mesures optiques et des rayons X sous des pressions statiques. L'intérêt expérimental et théorique pour la dépendance de la pression des propriétés électroniques des semi-conducteurs II-VI s'était développé récemment. Cependant, ces investigations ont été beaucoup moins intenses pour les alliages ternaires de semi-conducteur II-VI.  La connaissance du gap énergétique est nécessaire de calculer quelques paramètres optiques tels que l’indice de réfraction, le coefficient de réflexion et de voir leur dépendance en concentration en utilisant trois modèles. La relation Moss basé sur le modèle atomique, le modèle linéaire de Ravindra et ces collaborateurs et enfin la relation empirique de Hervé et Vandamme.
610  $aPression hydrostatique, propriétés optiques,                dynamique du réseau, ZnSxSe1-x
700  $aberdi, fatima zohra
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac