001034471
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aSimulation à l’échelle atomique de la croissance épitaxiale par jets moléculaires du matériau SiGe$bressource électronique
210  $aUniversité  de Béchar - Mohamed Tahri  : Département de Technologie$cUniversité  de Béchar - Mohamed Tahri 
328 1$bDoctorat$cEnergétique$eDépartement de Technologie , Université  de Béchar - Mohamed Tahri 
330  $aL’étude de la croissance cristalline de SiGe a fait l’intérêt de plusieurs études expérimentales et théoriques depuis quelques années car elle fait un élément de base dans la structure de la plus part des composants électroniques multicouches de haute qualité. L‘objectif principal de ce travail entre dans ce cadre, c’est – à – dire de présenter un modèle théorique pour étudier l’épitaxie par jets moléculaires à l’échelle atomique des structures de Germanium (Ge) sur Silicium (Si).  Le modèle traité inclus tous les détails microscopiques de la croissance épitaxiale tels que : Les processus atomistiques de la croissance des îlots (déposition, incorporation, diffusion, absorption, désorption), la reconstruction de surface, la structure zinc blende du cristal, et les différentes propriétés cinétique de déposition. Ce modèles a été appliqué pour la reconstruction de la surface Bêta2(2x4) de GaAs(001). Les principes de base du modèle sont projetés pour la croissance de Ge sur Si afin de décrire la statistique globale des îlots formées de SiGe, et de déterminer la morphologie et la rugosité de la surface formée après une  croissance cristalline dans un premier lieu, avant de d’effectuer une simulation in situ par la diffraction RHEED
610  $aCroissance cristalline, Si, Ge, SiGe, MBE, rugosité, surface, RHEED, photoémission
700  $aALLAOUI, abdelmadjid
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac