001034470
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aConception d’un simulateur de croissance cristalline par jets moléculaires$bressource électronique
210  $aUniversité  de Béchar - Mohamed Tahri  : Département de Technologie$cUniversité  de Béchar - Mohamed Tahri 
328 1$bDoctorat$cEnergétique$eDépartement de Technologie , Université  de Béchar - Mohamed Tahri 
330  $aL’épitaxie  par jets moléculaires  est une technique de croissance cristalline qui permet d’élaborer des hétérostructures composées d’empilements de très faibles épaisseurs de matériaux différents avec une excellente qualité cristalline. Cette technique permet  de réaliser des homoépitaxies à basse température et avec une lente vitesse  de croissance.  Dans ce travail ; on s’intéresse de la méthode de Monte Carlo cinétique. Cette méthode a été utilisé essentiellement dans les simulations des systèmes physiques tel que : la croissance épitaxiale par jets moléculaires (MBE). Notre étude  repose sur le développement d’un simulateur Monte Carlo cinétique qui  permet de simuler à l’échelle atomique la croissance et la reconstruction de la surface de l’épitaxie par jets moléculaires dans (MBE). Le logiciel proposé peut introduire tous les mécanismes de croissance, tel que : 1) Processus de croissance; déposition, diffusion, incorporation, absorption et désorption des atomes. 2) l‘aspect physisorption et chemisorption des molécules. 3) La prise en compte de la reconstruction de la surface. 4) Différents types de substrats existants dans la nature. 5) Caractérisation (simulation) de type in situ grâce aux méthodes de caractérisation, tel que ;  la diffraction d’électrons de haute énergie en incidence rasante RHEED
610  $aCroissance cristalline, épitaxie, MBE, Diffusion, Absorption, Désorption, Modélisation, Simulation, Logiciel, Monte Carlo Cinétique, RHEED, photoémission
700  $aABDELKAFI, yamani
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac