001032088
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEffet des impuretés résiduelles sur la réponse d’une photopile à base de silicium$bressource électronique
210  $aUniversité de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid : Département d'Electronique$cUniversité de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid
330  $aDans le but de rendre l’énergie photovoltaïque compétitive par rapport aux énergies conventionnelles, on a tendance ces derniers temps à opter pour l’utilisation de matériaux de moins bonne qualité afin de réduire le prix de revient des photopiles. Cependant, l’utilisation d’un matériau de moins bonne qualité, tel que le silicium métallurgique, aura sans doute un effet négatif sur la réponse d’une photopile, car les matériaux non cristallins et contenant des impuretés au-delà  d’une certaine concentration ne donnent pas les performances escomptées. L’idée de ce travail est de voir les possibilités d’utiliser du silicium de grade métallurgique dans la réalisation de photopiles de bonne marché sans toutefois perdre beaucoup sur le plan performance. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet des impuretés sur la réponse d’une photopile à base de silicium. Pour ce faire, il faut faire tout d’abord le tour d’horizon de la technologie de silicium du sable ou quartz au silicium cristallin en faisant ressortir la complexité de l’opération, donc  son prix de revient élevé. Il est aussi question de recenser les impuretés résiduelles et leur concentration dans les différents types du silicium ainsi que leur nature (donneur ou accepteur). Par la suite, il faut essayer de quantifier l’effet de ces impuretés, du moins les plus importantes, pour avoir une idée sur leur influence  quant à la réponse d’une photopile à base de ce matériau. Pour mener son travail à bien, le candidat a la possibilité d’utiliser le logiciel Silvaco disponible au laboratoire salle blanche ou développer son propre code de calcul.
610  $aSilicium, Impuretés résiduelles, Niveau profond, Accepteur, Donneur, Photopile
700  $aKOUACHI, hemza
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac