001030358
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude comparative entre les deux structures GA IN ASP (GA AS et GA IN ASN) GA AS application au lasers  .$bressource électronique
210  $aUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes  : Département d'Electronique$cUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
330  $aL'objectif de ce travail est de faire une étude  comparative entre les deux structures de dio de lasers cette étude consiste à l'étude et l'optimisation des deux dispositifs .
610  $aPropriétés éléctronique et optiques des alliages , Méthode d'optimisation , Dispositifes optoelectronique.
700  $aBERRAHAL, mokhtar
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac