001029370
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude ,analyse et caractérisation des diodes LASER à mulipuits quantiques à base des matériaux semi-conducteur 3-7 $bressource électronique
210  $aUniversité de Laghouat - Amar Telidji  : Département Electronique$cUniversité de Laghouat - Amar Telidji 
328 1$bDoctorat$cElectronique$eDépartement Electronique , Université de Laghouat - Amar Telidji 
330  $aLe domaine de l'opto-électronique a connu un essor considérable grace à l'utilisation des matériaux semi-conducteur 3-7(GaAs,InP et alliages associés) à gap direct .Ces matériax perméttent notamment de réaliser tous les "émeteurs" performants (diodes lasers ,LEDs...) que nous connaissons aujourd'hui ,depuis l'origine  du développement de ces dispositifs opto-électronique de nombreuses études  ont été consacrées à leur intégration parallèle sur le mème substrat ,de fonction optique et de leur électronique de commande  
610  $aLASER 
610  $aPuits quantique 
610  $aMatériaux 3-7
610  $aCaractérisation :
610  $aFacteur de confinement optique 
610  $aGaine courant du seil
700  $aGACEMI, yahia
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac