001029333
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude des interdiffusions aux interfaces des systèmes binaires  cu/Ti/Si et PD/Ti/Si sous l'effet de l'implantation ionique $bressource électronique
210  $aUniversité de Boumerdès - M'hamed Bougara  : Département Génie des Matériaux$cUniversité de Boumerdès - M'hamed Bougara 
328 1$bDoctorat$cGénie des matériaux$eDépartement Génie des Matériaux , Université de Boumerdès - M'hamed Bougara 
330  $aEtude de l'interdiffusion aux interfaces des couchees-minces M1/M2 sur de silicieum monocristallin d'orientation (111) et(100) non implonté puis implonté en fonction des recuits théramiques  comme le cuivre (cu) est connu comme diffuseur potentiel dans le silicium l'idée est d'interposer un métal entre le cuivre et le silicum jaiant ainsi le role d'une barrière afin d'augmenter la stabilité des systèmes tels que les contacts ohuniques  les systèmes étudiés sont cu/Ti/Si et PD/Ti/Si
610  $aSystèmes binaires M1/M2/Si
610  $amplontation ionique 
610  $aTechnique de caractérisation (RBS,MEB,DRX,AFM,micro RBSet sounde AU GER)
700  $aBENYAGOUB, Hicham amgir
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac