001026296
100  $a20140225                 y50      
101  $afre
2001 $aCaractérisation des dispositifs électroniques dans les technologies MOS avancées$bressource électronique
210  $aUniversité de Boumerdès - M'hamed Bougara  : Département Physique$cUniversité de Boumerdès - M'hamed Bougara $d2014
215  $a138 p.$cill.$d30 cm
328 1$bDoctorat$cElectronique$eDépartement Physique , Université de Boumerdès - M'hamed Bougara $d2014
330  $aAvec la miniaturisation à une échelle nanométrique, la compréhension des phénomènes thermodynamiques mis en jeux lors de la formation des siliciures tels que : (diffusion, réaction, ségrégation, redistribution et la cinétique de formation des phases) est primordiale. Le premier volet de notre travail consiste à développer un modèle thermodynamique basé sur la chaleur effective de formation. Ensuite nous avons suivi le comportement du dopant (l’Arsenic) au cours de formation des siliciures. Le dopant est stable lorsqu’il se trouve en position substitutionnelle et qui ne diffuse pas en tant qu’une espèce isolée. Ce qui nécessite des techniques de caractérisation fonctionnelles pour décrire ces défauts. Ce que nous avons fait dans le deuxième volet de notre travail qui consiste à appliquées la technique de caractérisation fonctionnelle de Tanner « Equilibrium Voltage Step (EVS) », qui nous a permis l'exploration de la concentration des pièges en oxyde à proximité de l’interface Si-SiO2, entre7Å et 17Å, qui convient à caractériser les défauts dans la structure MOS
610  $aMOS (électronique) 
610  $a Physique : Instruments 
610  $a Arsenic Microélectronique
700  $aBenlatreche, Mohamed salah
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac
990  $a53(043.2)/A13/BEN