001024318
100
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y50
101
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fre
2001
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Modélisation quantique d'un transistor à effet de champ hétéro-tranction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis
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ressource électronique
328 1
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Magister
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Physique
801 0
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DZ
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CERIST PNST
901
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c