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2001 $aExtraction des densités de piège de l'interface Si/SiO2 dans les MOSFETs en utilisant des épaisseurs d'oxyde inférieures 1,3 nm.$bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département d'Electronique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
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610  $a- Etude de l'interface Si/SiO2  - physique de la technique de pompage de charge
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