001022430
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aPhysique et technologies de capteurs à semi conducteur$bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département de Physique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bDoctorat$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
330  $aLes capteurs nouveaux à semi-conducteur au silicium et à base de matériaux III-V sous forme de  jonctions enterrées, de circuits intégrés et de multi-jonctions empilées connaissant ces dernières années de larges applications industrielles, agricoles, spatiales et militaires. Grâce à la maîtrise des technologies et des processus de diffusion de dopant d’une part et de croissance de couches sous forme de multi-jonction empilées, on se fixe comme objectif l’étude, la simulation la conception et la caractérisation de différents types de capteurs nouveaux à semi-conducteurs ayant un impact socio-économique. Les étapes essentielles du projet sont : Etude et modélisation de capteurs nouveaux Mise au point de logiciel de simulation de diffusion d’impureté et de croissance de couches épitaxiées. Elaboration de simulateur de conception de capteurs nouveaux de type jonctions diffusée et multicouche empilée en vue des applications optoélectroniques, spatiales et agricoles. Eventuellement, réalisation d’échantillons prototypes. Caractérisation de matériaux semi-conducteurs et d’échantillons de capteurs et comparaisons des résultats de simulations et expérimentales.
610  $aElectronique , Matériaux , Composants , Circuits intégrés , Dispositifs photovoltaïques , Energies Nouvelles et Renouvelables , recherche scientifiques , Nouvelles technologies .
700  $aFETAH, sabah
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac