001020701
100  $a20120405                 y50      
101  $afre
2001 $aModèle "defect pool" et photoconductivité en régime stationnaire dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H)$bressource électronique
210  $aUniversité de Batna 1 - Hadj Lakhder : Département de Physique$cUniversité de Batna 1 - Hadj Lakhder$d2004
215  $a77 p.$cill.$d30 cm.
328 1$bMagister$cPhysique des Matériaux$eDépartement de Physique , Université de Batna 1 - Hadj Lakhder$d2004
330  $aLe présent travail consiste en la simulation numérique de la Photoconductivité en régime Stationnaire (PCS) dans le Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si:H) en prenant pour structure électronique du matériau la distribution énergétique des états des défauts calculée par le modèle "defect pool" (MDP). Ce calcul tient en compte les réactions d'équilibre chimique intervenant dans le mécanisme de conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes. La réponse du matériau à une excitation optique continue est ensuite modélisée é dans les conditions de quasi-équilibre du système. Les résultats de la PCS obtenues par simulation montrent un bon accord avec des résultats expérimentaux é correspondants pris de la lit é rature. L'interprétation e l'allure générale de la PCS en fonction de la température dans le cas du a-Si:H intrinsèque est faite en examinant la dépendance de température des différentes charges et taux de recombinaisons dans les états es queues de bande de conduction et de valence et des liaisons pendantes. dans le cas du a-Si:H dopé de type n, le tracé de la PCS en fonction de l'intensité t'excitations montre une dépendance caractérisé par un indice de puissance inférieure à 0.5, ce qui est aussi en bond accord avec les valeurs expérimentalement observés
610  $aDefect pooL
610  $a Modéle de Photoconductivité
700  $aHadibi, Abouel feteh
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac
990  $aTH1.4177