001020511
100  $a20120314                 y50      
101  $afre
2001 $aStructure électronique des dislocations dans le nitrure de gallium (GaN).$bressource électronique
210  $aUniversité de Béjaia - Abderrahmane Mira  : Département de Physique$cUniversité de Béjaia - Abderrahmane Mira $d2001
215  $a173 f.$cFigr.$d30 cm
328 1$bMagister$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Béjaia - Abderrahmane Mira $d2001
330  $aCette étude explore les états de la bande interdite à l'aide d'un calcul de  densité d’états électroniques, en liaison avec la géométrie de la dislocation-vis, effectué dans le cadre de la méthode SCC-DFTB . Pour mener à bien cette étude nous avons senti le besoin de revoir les fondements théoriques du problème à N-corps nécessaire au développement du formalisme SCC-DFTB et d'explorer les différentes techniques de simulation des défauts.
337  $aBibliogr.; Annexe.
610  $aNitrure de gallium : Structure électronique
700  $a Imad, Belabbas
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac
990  $a530M/46