001020354
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude de la structure de la matière$bressource électronique
210  $aUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas : Département de Physique$cUniversité de Sétif 1 - Ferhat Abbas
328 1$bMagister$cPhysique$eDépartement de Physique , Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
330  $aLa plupart des photopiles utilisées actuellement sont équipées de semi-conducteurs au silicium. Les rendements des ces photopiles mono ou polycristallines sont, il est vrai, élevés, mais leur fabrication est par contre fort coûteuse. Des photopiles recouvertes de couches ultraminces de silicium, bien qu’étant nettement plus avantageuses, n’ont cependant un rendement que de 5 à 7%. Il est toutefois possible d’obtenir de meilleurs rendements en utilisant des couches ultraminces en cuivre-indium-gallium-diselenide (CIGS) ou en cuivre-indium-diselenide (CIS). Cette technologie de couches minces, qui permet d'atteindre des épaisseurs inférieures au micromètre, est présente aujourd'hui dans de nombreux projets industriels- photopiles. Notre but est d’analyser les effets des variations des spectres lumineux sur les différentes caractéristiques de ces composants.
610  $aCouches minces, CIGS, photopiles, performances
700  $aKARAR, nabila
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac