001019548
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aEtude et optimisation d'une diode éléctroluminescente en GA AS$bressource électronique
210  $aUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes  : Département d'Electronique$cUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
330  $aIl s'agit de présenter, de décrire et de caractériser la diode éléctroluminescente en Ga As dopée Erbium à 1,54 Nous utilisons un substrat Ga As à 03 couches à structure planer. Les résultats expérimentaux seront confrpontes aux résultats obterus par simulation.
610  $aSemi conducteur III V - AsGa - Optoéléctronique - L.E.D - M.B.E
700  $aKARI, zana
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac