001019500
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aCaractérisation éléctrique et modélisation des structures Inp/Al2 O3 en fonction de la température.$bressource électronique
210  $aUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes  : Département d'Electronique$cUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
330  $aLes semi-conducteurs III V et plus particuliérement le phosphore d'indium est un condidat prometteur pour l'élaboration des composants éléctroniques trés rarides dans ce mémoir de magister, nous proposons des structures Inp/Al2 O3/Hg et Inp/Al2 O3/Au.
610  $aCaractérisation - modélisation.
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac