001019495
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aCaractérisation éléctroniques des structures du type INP (n) In Sb/ Al sous l'éffet des bases températures possistion.$bressource électronique
210  $aUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes  : Département d'Electronique$cUniversité de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement d'Electronique , Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes 
330  $aDurant ce travail nous allons interesser à la caractérisation éléctronique des structures MIS réaliser sur substrat IN P (n) ou la film isolant Al2 O3 est réaliser par évaporation sous ultravide.
610  $aIN P (n) - InSb -      
700  $aBACHIR, Bounadja Noureddine
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac